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電磁流量計(jì)

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非絕緣管壁電磁流量計(jì)的權(quán)重函數(shù)仿真分析

來(lái)源:作者:發(fā)表時(shí)間:2017-07-05 09:20:20

          基于法拉第電磁感應(yīng)理論的電磁流量計(jì)已經(jīng)廣泛應(yīng)用到流量測(cè)量中 。其中權(quán)函數(shù)的研究對(duì)分析電磁流量計(jì)是非常重要和必不可少的。它說(shuō)明了,在同一管道橫截面上,各點(diǎn)流速對(duì)電極信號(hào)的貢獻(xiàn)不同,遵循一定的分布 。傳統(tǒng)的電磁流量計(jì)具有絕緣的測(cè)量管壁,或者內(nèi)壁附有一層絕緣材料  。其權(quán)函數(shù)的解析解表明權(quán)值在圓心處為 1 ,在圓周 (除電極外)為 0.5 ,在電極附近最大 。但很多情況下,測(cè)量管壁并不是絕緣的或者管壁被污染而變成非絕緣性。典型例子就是血液電磁流量計(jì)測(cè)量中把血管壁視為絕緣,實(shí)際上血管壁是非絕緣的 。但迄今為止,針對(duì)非絕緣管壁電磁流量計(jì)權(quán)函數(shù)的研究仍然很少。這就造成了實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)很多問題。如在醫(yī)學(xué)中,更好的利用電磁流量計(jì)來(lái)測(cè)量血液流速;在工業(yè)中,怎樣研究測(cè)量管壁或者電極被污染給測(cè)量帶來(lái)的影響。

 
          求解非絕緣管電磁流量計(jì)權(quán)函數(shù)的困難在于管壁的電導(dǎo)率也要考慮,那么就不能采用傳統(tǒng)流量計(jì)權(quán)函數(shù)的分析方法即借助格林函數(shù)解拉普拉斯方程 。文中利用虛電流密度分布進(jìn)而得到權(quán)函數(shù)分布的方法。這種分析方法可以解決醫(yī)學(xué)和工業(yè)中電磁流量計(jì)具有非絕緣管壁時(shí)測(cè)量所帶來(lái)的困難。重要的是這種非絕緣管電磁流量計(jì)較以往電磁流量計(jì)的特點(diǎn)是電極不用嵌在管壁中,即電極不是固定在某一位置上,而是在管壁的外側(cè)。這樣的設(shè)計(jì)使得在管壁外側(cè)任意位置上都可以采集信號(hào)。
 
          理論分析過(guò)程中,為了簡(jiǎn)化分析而又不影響最終結(jié)果的精度,我們可以合理假設(shè):
          1 )傳感器內(nèi)液體流速為零;
          2 )兩個(gè)電極可以視為點(diǎn)電極;
          3 )在均勻磁場(chǎng)中進(jìn)行測(cè)試。
          文中分析的流量計(jì)可以抽象為具有非絕緣材料的柱形腔體,其內(nèi)徑為 R 2 ,外徑為 R 1 ( R 2 < R 1 )。半徑為 R 2 的小柱形腔內(nèi)填充電導(dǎo)率為 σ 2的液體,管壁的電導(dǎo)率為 σ 1 ,建立坐標(biāo)系,原點(diǎn)位于小腔和大腔公共面的圓心,電極位于 Y 軸,幾何結(jié)構(gòu)如圖。其中兩個(gè)電極置于腔體外壁 (非侵入式),這也是較傳統(tǒng)流量計(jì)的結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)  。
 非絕緣管電磁流量計(jì)幾何圖
 
2  非絕緣管電磁流量計(jì)權(quán)函數(shù)分析
2.1  利用拉普拉斯方程求解權(quán)函數(shù)絕緣管電磁流量計(jì)是借助格林函數(shù)解拉普拉斯方程得到權(quán)函數(shù)的解析解 。
         歐姆定律:QQ截圖20170705092453.jpg
 
        將式 ( 1 )代入式 ( 2 ),得到電磁流量計(jì)的基本微分方程:
QQ截圖20170705092529.jpg
 
         電導(dǎo)率均勻則有:QQ截圖20170705092552.jpg
 
         借用格林函數(shù),得到絕緣管壁電磁流量計(jì) (長(zhǎng)管)的解析解 :
QQ截圖20170705092605.jpg
 
        R 1 為絕緣管的半徑。但是對(duì)于非絕緣管壁方程 ( 4 )不成立,這是因?yàn)楣鼙诘碾妼?dǎo)率與管內(nèi)液體電導(dǎo)率不等。對(duì)于方程( 3 )很難利用解偏微分方程來(lái)得到非絕緣管壁的電磁流量計(jì)權(quán)函數(shù)。
 
2.2  利用虛電流密度分布得到權(quán)函數(shù)分布權(quán)函數(shù) :QQ截圖20170705092619.jpg
 
         模型中,電極可視為點(diǎn)電極。內(nèi)壁上與之相對(duì)應(yīng)點(diǎn) B (如圖1)的虛電流密度為 ( 0< j <1 ),其在非絕緣管道上的投影為:
QQ截圖20170705092636.jpg
 
 bnty未標(biāo)題-2.gif
        由歐姆定律可知:QQ截圖20170705092815.jpg
 
         其中: σ 1 為管壁的電導(dǎo)率。
 
        那么 A 點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度:QQ截圖20170705092829.jpg
QQ截圖20170705092851.jpg
 
        將式 ( 8 )、(9 )代入式 ( 7 )得到非絕緣管壁上任意點(diǎn)的電流密度:
QQ截圖20170705092859.jpg
 
        虛電流與 σ 1 成正比,與 h 成反比。
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